【未分类_HGTP7N60C3】封装/厂家_HGTP7N60C3中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： HGTP7N60C3
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP7N60C3由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP7N60C3价格参考。HarrisHGTP7N60C3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTP7N60C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP7N60C3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTP7N60C3 是 Harris Corporation（现已被 Exar 公司收购，后并入 MaxLinear）推出的一款 600V、7A 的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET（非 IGBT；型号中“C3”代表第三代 CoolMOS 类似结构的平面工艺器件），采用 TO-220 封装。其典型应用场景包括：

- 开关电源（SMPS）：适用于 AC-DC 适配器、PC 电源、LED 驱动电源中的主开关管，尤其在反激（Flyback）和 LLC 谐振拓扑中，凭借较低的导通电阻（Rds(on) ≈ 1.4Ω @ Vgs=10V）与良好开关特性实现高效率。

- 工业控制与电机驱动：用于中小功率（<300W）直流电机或步进电机的 H 桥驱动、继电器替代电路及 PWM 调速模块。

- 照明电子镇流器与智能LED系统：在高频调光/调色温驱动电路中承担高频开关功能，具备良好的 dv/dt 抗扰性与雪崩耐受能力（UIS 额定）。

- UPS 和电池管理系统（BMS）：作为 DC-DC 升压/降压级的功率开关，支持宽输入电压范围与快速响应。

需注意：该器件为标准 MOSFET，非 IGBT（原问题中“UGBT”系误写），不适用于大电流低频硬开关场景（如 >5kW 逆变器主开关）。设计时应重视栅极驱动稳定性、PCB 布局及散热管理，以发挥其高频（f<500kHz）、高效率优势。

产品参数图文手册常见问题