【未分类_HGTP6N40EID】封装/厂家_HGTP6N40EID中文资料_价格

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型号： HGTP6N40EID
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP6N40EID由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP6N40EID价格参考。HarrisHGTP6N40EID封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTP6N40EID参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP6N40EID 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTP6N40EID 是安森美（ON Semiconductor）推出的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET（非 IGBT），采用 TO-220AB 封装，额定电压 400 V，连续漏极电流 6 A（Tc=25°C），具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 1.2 Ω）、快速开关特性及内置反并联二极管，适用于中等功率、高频开关场景。

典型应用场景包括：  
• 开关电源（SMPS）：如 AC-DC 适配器、LED 驱动电源、PC 电源的次级侧同步整流或初级侧开关（需配合驱动电路及散热设计）；  
• 电机控制：小型直流无刷电机（BLDC）或步进电机的驱动桥臂（尤其在 24–48 V 系统中作上/下管）；  
• 逆变与变频模块：如小型光伏微逆变器、风扇/泵类家电的变频控制；  
• 工业控制：PLC 输出模块、固态继电器（SSR）、电磁阀/加热器的 PWM 控制；  
• 电池管理系统（BMS）：中压电池组的充放电保护开关（需配合过流/过温保护电路）。

注意：该器件为单 MOSFET（非 IGBT），不适用于 >1 kHz 以上超高频谐振变换器（如 GaN/SiC 替代场景），也不推荐用于直接驱动大感性负载而无续流保护。实际应用中需重视栅极驱动（Vgs=10–15 V）、PCB 布局（减小寄生电感）、散热设计（建议加散热片）及雪崩耐量（具备一定 UIS 能力）。  

（字数：398）

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