【未分类_HGTP3N60B3R4724】封装/厂家_HGTP3N60B3R4724中文资料_价格

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型号： HGTP3N60B3R4724
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP3N60B3R4724由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP3N60B3R4724价格参考。HarrisHGTP3N60B3R4724封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTP3N60B3R4724参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP3N60B3R4724 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTP3N60B3R4724 是安森美（onsemi）推出的高压超结MOSFET（非IGBT），其型号中“HGTP”代表High Voltage Superjunction MOSFET，“3N60”表示额定电流约3A、耐压600V。该器件具有低导通电阻（Rds(on) ≈ 2.4Ω @ Vgs=10V）、快速开关特性及优化的体二极管，适用于高效率、中功率开关应用。

典型应用场景包括：  
- 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、LED驱动电源、PC电源副边/辅助电源电路，用于PFC级或主功率开关；  
- 电机控制：小型直流无刷电机（BLDC）驱动中的上/下桥臂开关（需配合驱动IC与续流保护）；  
- 逆变器模块：低压至中压（≤400V母线）离网逆变器、UPS后备电源中的DC-AC转换级；  
- 工业控制设备：PLC输出模块、固态继电器（SSR）、电磁阀/加热器驱动等需要600V耐压和可靠开关性能的场合。

注意：该器件为单N沟道增强型MOSFET（非IGBT），不适用于大电流低频硬开关场景（如大功率工业变频器主逆变桥），亦非光耦隔离型，实际应用中需合理设计栅极驱动、散热及过压/过流保护。数据手册编号HGTP3N60B3（后缀R4724多为封装/编带标识），建议以官方PDF为准进行电气参数与热设计验证。

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