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  • 型号: HGTP15N50E1
  • 制造商: Harris
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP15N50E1由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP15N50E1价格参考。HarrisHGTP15N50E1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HGTP15N50E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGTP15N50E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTP15N50E1 是 Harris Corporation(现已被 Exar 公司收购,后并入 MaxLinear)推出的一款 500V、15A 的增强型高压功率 MOSFET(非 IGBT;型号中“E”代表 Enhancement-mode,属 N 沟道垂直双扩散 MOSFET),常被误归类为 IGBT,实为高性能平面工艺 MOSFET。

其典型应用场景包括:  
- 开关电源(SMPS):适用于 AC-DC 适配器、PC 电源、LED 驱动电源中的主开关管,凭借高耐压(500V)和较低导通电阻(Rds(on) ≈ 0.4Ω),提升效率与功率密度;  
- 不间断电源(UPS)与逆变器:在中小功率离线式逆变电路中用作 DC-AC 开关器件,支持高频(可达 100kHz+)硬开关工作;  
- 电机控制:用于家电(如变频空调压缩机驱动)、工业风扇、水泵等单相/三相 PFC 前级或半桥驱动;  
- 电磁加热与感应加热控制模块:作为谐振变换器(如 LLC、串联谐振)的主开关,需兼顾雪崩耐受能力(该器件具备额定单脉冲雪崩能量 IAS);  
- 工业电源与电焊设备辅助电源:满足高可靠性、宽温域(-55℃~+150℃)及抗dv/dt 干扰要求。

注:该器件不适用于大电流低频硬换向场景(如重型牵引逆变器),因其未集成续流二极管且体二极管反向恢复性能一般;设计时需注意栅极驱动电压(推荐 10–15V)、PCB 散热及米勒钳位防护。
产品参数 图文手册 常见问题
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