【未分类_HGTP10N50E1D】封装/厂家_HGTP10N50E1D中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： HGTP10N50E1D
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP10N50E1D由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP10N50E1D价格参考。HarrisHGTP10N50E1D封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTP10N50E1D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP10N50E1D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTP10N50E1D 是 Harris Semiconductor（后被 Intersil 收购，现属瑞萨电子）推出的一款 500V、10A 的增强型高压功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，并内置快速恢复体二极管（“D”后缀表示带续流二极管），适用于硬开关与高频开关场景。

其典型应用场景包括：  
- 开关电源（SMPS）：如 AC-DC 适配器、PC 电源、工业电源的主开关管或PFC升压开关；  
- 电机驱动：中小功率直流无刷电机（BLDC）、步进电机驱动中的H桥上/下臂开关；  
- 照明电子镇流器与LED驱动：用于高频谐振式镇流器或隔离/非隔离LED恒流驱动电路；  
- 逆变器与UPS系统：在中小容量在线式/后备式不间断电源中作DC-AC逆变开关；  
- 电磁加热与感应加热控制：作为半桥/全桥拓扑中的功率开关，配合谐振电感工作。  

该器件具有低导通电阻（Rds(on) ≈ 0.55Ω @ Vgs=10V）、高雪崩耐量、快速开关特性（td(on)/td(off) 约数十纳秒）及内置二极管反向恢复时间短（trr ≈ 60ns），可提升系统效率并降低EMI。需注意其栅极阈值电压（Vgs(th) ≈ 2–4V）属增强型，需确保驱动电压≥10V以充分导通，并合理设计驱动电路与散热措施。

产品参数图文手册常见问题