【未分类_HGTP10N40EID】封装/厂家_HGTP10N40EID中文资料_价格

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型号： HGTP10N40EID
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP10N40EID由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP10N40EID价格参考。HarrisHGTP10N40EID封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTP10N40EID参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP10N40EID 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTP10N40EID 是一款由安森美（onsemi）生产的 N 沟道增强型高压 MOSFET（非 IGBT），采用 TO-220AB 封装，额定电压 400 V，连续漏极电流 10 A（Tc=25°C），具备低导通电阻（Rds(on) 典型值 0.45 Ω）、快速开关特性及内置体二极管，适用于中高功率、高频开关场景。

典型应用场景包括：  
✅ 开关电源（SMPS）：如 AC-DC 适配器、PC 电源、LED 驱动电源中的主开关管或PFC升压开关；  
✅ 电机驱动：中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥上/下臂开关（需搭配驱动IC与续流保护）；  
✅ 逆变器与UPS：离线式不间断电源、小型太阳能微逆变器中的DC-AC转换级；  
✅ 工业控制设备：PLC输出模块、固态继电器（SSR）、电磁阀/加热器等感性负载的高速通断控制；  
✅ 消费电子：大功率快充协议中的同步整流或次级侧开关（配合控制器实现高效率）。

注：该器件为标准MOSFET，非IGBT（型号中“IGBT”属用户误选分类），不适用于超高压（>600 V）或大电流（>30 A）硬开关工况。实际应用中需注意栅极驱动电压（推荐10–15 V）、散热设计（TO-220需配散热器）及dV/dt抗干扰能力。  

（字数：298）

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