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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTH20N50EID由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTH20N50EID价格参考。HarrisHGTH20N50EID封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HGTH20N50EID参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGTH20N50EID 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGTH20N50EID 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的高性能高压IGBT(绝缘栅双极型晶体管),属于“晶体管 - IGBT、MOSFET - 单”类别(注:严格而言,HGTH20N50EID 是IGBT,非MOSFET;型号中“HGTH”系列为高速沟槽场截止IGBT)。其额定电压为500 V,连续集电极电流为20 A,具备低导通压降(VCE(sat) ≈ 1.8 V @ IC = 20 A)、快速开关特性及内置反并联快恢复二极管(FRD),采用TO-247AD封装。 典型应用场景包括: - 工业变频驱动:用于中小功率通用变频器(如3–7.5 kW电机驱动),实现高效调速与能量控制; - 感应加热设备:在电磁炉、金属热处理电源中承担高频(20–50 kHz)硬开关或软开关主功率开关; - 不间断电源(UPS)与光伏逆变器:适用于单相或三相逆变级,尤其适合对效率和温升敏感的离网/混合逆变系统; - 开关电源(SMPS):用于大功率通信电源、医疗设备电源的PFC(功率因数校正)或DC-DC主开关; - 电焊机与激光电源:满足脉冲式高电流、高重复频率的动态负载需求。 该器件强调鲁棒性与可靠性,具备短路耐受时间(tSC ≈ 1 μs @ Tj = 150°C)及优良的雪崩能力,适用于中等功率、中高频开关场合,兼顾效率与散热设计便利性。