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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTH20N50E1由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTH20N50E1价格参考。HarrisHGTH20N50E1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HGTH20N50E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGTH20N50E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGTH20N50E1 是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的高性能高压IGBT(绝缘栅双极型晶体管),属于“晶体管 - IGBT、MOSFET - 单”类别(注:严格而言,HGTH20N50E1是IGBT,非MOSFET;型号中“E1”代表增强型场截止IGBT)。其额定电压为500V,连续集电极电流达20A,具备低导通压降(VCE(sat) ≈ 1.8V @ IC=20A)、快速开关特性及内置反并联续流二极管,采用TO-247封装,适用于中高频硬开关应用。 典型应用场景包括: - 工业变频器与电机驱动:用于中小功率(约1–3kW)交流电机调速控制,如风机、水泵、压缩机的节能驱动系统; - 不间断电源(UPS):作为逆变级主开关器件,实现DC-AC高效转换,支持高可靠性后备供电; - 感应加热设备:在20–50kHz工作频段内提供稳定开关性能,满足电磁炉、金属热处理等需求; - 光伏逆变器:用于单相或小功率三相组串式逆变器的升压/逆变级,兼顾效率与EMI表现; - 焊接电源:在逆变式弧焊机中承担主功率变换,支持恒流/恒压输出调节。 该器件集成优化的软恢复二极管和短路耐受能力(tSC ≥ 1μs),适合对鲁棒性与能效均有要求的中功率电力电子系统。需配合合理驱动电路(如±15V栅极电压、足够峰值驱动电流)及散热设计以发挥最佳性能。