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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTH20N40C1由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTH20N40C1价格参考。HarrisHGTH20N40C1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HGTH20N40C1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGTH20N40C1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGTH20N40C1 是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的高速、高电压IGBT(绝缘栅双极型晶体管),属于“晶体管 - IGBT、MOSFET - 单”类别(注:严格而言,HGTH20N40C1是IGBT,非MOSFET;型号中“HGTH”系列为高压高速IGBT)。其额定参数为400V/20A,具备低导通压降(VCE(sat) ≈ 1.8V @ IC=20A)、快速开关特性及内置反并联二极管,适用于中等功率、高频硬开关应用。 典型应用场景包括: - 感应加热设备(如电磁炉、工业加热电源):利用其400V耐压与20kHz–50kHz开关能力实现高效能量转换; - 不间断电源(UPS)和逆变器:在单相或小功率三相逆变桥臂中驱动电机或输出正弦波; - PFC(功率因数校正)电路:用于升压型PFC主开关,提升能效并满足谐波标准; - 电机驱动:适用于≤2kW的风机、泵类变频调速系统; - 焊接电源:在逆变式焊机主回路中实现高频斩波与电流精确控制。 该器件采用TO-247封装,热性能良好,适合自然冷却或小型散热器设计。需注意其栅极驱动需提供±15V稳定电压及足够峰值电流(≥2A),并做好dv/dt抑制与过流保护。不推荐用于600V以上母线或超低导通损耗优先的场合(此时可选SiC MOSFET替代)。