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  • 型号: HGTH12N40E1D
  • 制造商: Harris
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTH12N40E1D由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTH12N40E1D价格参考。HarrisHGTH12N40E1D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HGTH12N40E1D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGTH12N40E1D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTH12N40E1D 是一款由安森美(onsemi)生产的高压、高速IGBT(绝缘栅双极型晶体管),内置反并联快恢复二极管(即“E1D”后缀标识),额定电压400V,连续集电极电流12A,采用TO-247封装。其典型应用场景包括:

- 工业电机驱动:适用于中小功率变频器(如风机、水泵、压缩机控制),利用其高开关速度与低导通损耗实现高效调速与节能。

- 不间断电源(UPS)与逆变器:在在线式UPS的DC-AC逆变级中,承担高频PWM逆变任务,内置二极管可简化拓扑、提升可靠性。

- 感应加热设备:满足中频(20–100 kHz)谐振逆变需求,具备良好的短路耐受能力与温度稳定性。

- 光伏并网逆变器:用于单相或小功率三相逆变桥臂,支持软开关设计,降低EMI与开关损耗。

- 电磁炉与高频焊机:作为主开关器件,在高dv/dt环境下稳定工作,配合优化驱动电路可实现快速关断与低拖尾电流。

该器件强调鲁棒性与易用性,适合对效率、可靠性及设计简洁性有要求的中功率电力电子系统。实际应用中需配合合理散热设计与栅极驱动(推荐±15V驱动电压,避免米勒平台误导通)。
产品参数 图文手册 常见问题
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