【未分类_HGTG24N60D1D】封装/厂家_HGTG24N60D1D中文资料_价格

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型号： HGTG24N60D1D
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG24N60D1D由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG24N60D1D价格参考。HarrisHGTG24N60D1D封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTG24N60D1D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTG24N60D1D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Harris Corporation（哈里斯公司）已于2015年被L3 Technologies收购，后于2019年与L3合并为L3Harris Technologies。需特别说明：HGTG24N60D1D并非Harris Corporation的产品，而是由ON Semiconductor（安森美）设计并量产的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）型号。该器件常被误标或混淆，但Harris从未生产或发布过此型号。

HGTG24N60D1D是一款600V、24A的高速沟槽型IGBT，内置快速软恢复反并联二极管（“D1D”后缀即表示Diode-1-Diode优化），适用于中等功率、高频开关场景。典型应用场景包括：

- 工业变频器与伺服驱动器：用于电机控制中的逆变桥，实现高效PWM调速；
- 感应加热电源：在20–100 kHz频段下提供低导通损耗与快速关断能力；
- UPS（不间断电源）：作为DC-AC逆变级核心开关器件，兼顾效率与可靠性；
- 光伏并网逆变器（中小功率组串式）：配合SiC或快恢复二极管，提升转换效率；
- 电磁炉与高频焊机等家电/工业高频电源主开关。

其600V电压等级、1.8V典型饱和压降及35ns尾电流特性，使其在硬开关拓扑中表现优异，但不适用于超高频（>200 kHz）或超高压（>1200V）场景。选型时需注意驱动电压（15V±10%）、温度降额及PCB散热设计。

（注：若确需Harris原厂功率器件，建议核查其历史产品线如HT0206系列射频MOSFET，但无对应IGBT型号。）

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