【未分类_HGTG20N100D2】封装/厂家_HGTG20N100D2中文资料_价格

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型号： HGTG20N100D2
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG20N100D2由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG20N100D2价格参考。HarrisHGTG20N100D2封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTG20N100D2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTG20N100D2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Harris Corporation（哈里斯公司）已于2015年被L3 Technologies收购，后于2019年与L3合并为L3Harris Technologies。需特别说明：HGTG20N100D2并非Harris Corporation生产的产品，而是由ON Semiconductor（安森美）设计并量产的IGBT单管型号。该器件常被误标或在第三方渠道中关联到Harris，实为安森美经典高压IGBT系列（Trench/Field Stop结构）。

HGTG20N100D2是一款额定电压1000V、连续集电极电流20A的高速沟道型IGBT，内置快速软恢复反并联二极管，具备低导通压降（VCE(sat) ≈ 2.2V @ IC=20A）和良好开关特性。

典型应用场景包括：  
- 工业变频器与伺服驱动器中的逆变输出级；  
- 感应加热电源（如电磁炉、金属热处理设备）的高频功率开关；  
- UPS不间断电源主变换电路；  
- 太阳能光伏逆变器的DC-AC转换环节（适用于中小功率组串式机型）；  
- 电动汽车车载充电机（OBC）及DC-DC变换器的辅助功率级。

因其1000V耐压与20A电流能力，适合工作在400–800V母线电压平台，兼顾效率与可靠性。注意：实际应用中需配合合理驱动电路（如±15V驱动、负压关断）、散热设计及过流/短路保护机制。

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