【未分类_HGTG201N100E2】封装/厂家_HGTG201N100E2中文资料_价格

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型号： HGTG201N100E2
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG201N100E2由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG201N100E2价格参考。HarrisHGTG201N100E2封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTG201N100E2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTG201N100E2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTG201N100E2 是 Harris Corporation（现已被 L3 Technologies 收购，其功率半导体业务后续由 Microsemi 继承，现属 Microchip Technology）推出的一款高压、高速、高可靠性 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），额定电压 1000 V，连续集电极电流达 201 A（Tc=25°C），采用增强型沟槽结构与场截止（Field Stop）技术，具备低导通压降（VCE(sat) ≈ 2.2 V）、快速开关特性及良好的短路耐受能力。

典型应用场景包括：  
- 工业变频驱动：用于中大功率交流电机驱动器（如 HVAC 系统、泵、压缩机、传送带），支持高频 PWM 控制，提升能效与动态响应；  
- 不间断电源（UPS）与逆变器：在在线式 UPS 和光伏/储能系统 DC-AC 逆变环节中，承担主功率变换，兼顾效率与鲁棒性；  
- 感应加热与焊接设备：适用于 kHz 级高频谐振拓扑（如串联谐振逆变器），满足高重复峰值电流与热稳定性要求；  
- 铁路与牵引辅助电源：在轨道车辆辅助变流器或制动能量回馈单元中，因器件具备高 dV/dt 抗扰性与宽温度范围（−40°C 至 +175°C 结温）而被选用。  

该器件常搭配专用驱动IC（如Microchip的MIC442x系列）和RC缓冲电路使用，注重散热设计与PCB布局以保障长期可靠性。需注意：Harris 已不再独立运营该产品线，当前技术支持与供货应通过 Microchip 官方渠道确认。

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