【未分类_HGTD10N50F1】封装/厂家_HGTD10N50F1中文资料_价格

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型号： HGTD10N50F1
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTD10N50F1由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTD10N50F1价格参考。HarrisHGTD10N50F1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTD10N50F1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTD10N50F1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTD10N50F1 是 Harris Corp.（现已被 L3 Technologies 收购，相关产品线后由 Microchip 等承接）推出的一款 500V、10A 的高压超结 MOSFET（非IGBT；型号中“F1”通常表快速体二极管，属增强型N沟道功率MOSFET），常被误标为IGBT，实为高性能单管MOSFET。

其典型应用场景包括：  
- 开关电源（SMPS）：用于AC-DC适配器、服务器/通信电源的PFC（功率因数校正）升压电路及主功率级，凭借低导通电阻（Rds(on) ≈ 0.55Ω）和快速开关特性提升效率与频率。  
- DC-DC变换器：在工业或电信系统中作同步整流或高侧开关，支持高频（可达数百kHz）工作，减小磁性元件体积。  
- 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机的半桥/全桥驱动，尤其在风机、泵类等家电及工业控制中，兼顾开关速度与热稳定性。  
- LED驱动与照明电源：满足高能效、低EMI要求，配合准谐振或QR-PWM控制方案。  

该器件采用TO-220FP封装（带绝缘法兰），具备良好散热性与隔离能力，适用于空间受限但需可靠高压操作的场合。需注意：设计时应优化栅极驱动（避免过冲）、加强PCB布局（减少寄生电感）并确保足够散热，以发挥其快速体二极管优势并抑制电压尖峰。  

（注：Harris已不再独立运营该产品线，当前技术支持与供货建议参考Microchip或授权分销商。）

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