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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S7N60C3D由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S7N60C3D价格参考。Fairchild SemiconductorHGT1S7N60C3D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HGT1S7N60C3D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGT1S7N60C3D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGT1S7N60C3D 是 Fairchild Semiconductor(现属onsemi)推出的高压超结MOSFET,额定电压600V、典型导通电阻1.4Ω(VGS=10V)、ID=7A,内置快速恢复体二极管(D3系列),具备低开关损耗与优异dv/dt耐受性。 其主要应用场景包括: ✅ 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源的PFC(功率因数校正)电路及主功率开关级,凭借高效率和高频率开关能力(可达100kHz以上),提升能效并减小磁性元件体积。 ✅ 工业电机驱动与变频器:适用于中小功率(<1kW)风机、泵类、家电变频模块中的逆变桥上管/下管,内置快恢复二极管可简化设计、降低反向恢复损耗。 ✅ UPS不间断电源与太阳能微逆变器:在DC-AC升压/逆变环节中提供可靠高频开关性能,满足高可靠性与宽温度范围(-55℃~+150℃)要求。 ✅ 电磁加热(IH)与高频感应电源:适用于谐振拓扑(如LLC、半桥),其低Qg与优化寄生参数有助于减少驱动损耗与EMI。 该器件采用TO-247封装,散热性能良好,适合中等功率密度设计;D3后缀表明其体二极管具有软恢复特性,显著抑制电压尖峰与噪声,提升系统鲁棒性。注意需配合合理栅极驱动(推荐12–15V驱动电压)与PCB布局以发挥最佳性能。