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- 型号： HGT1S7N60B3D
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S7N60B3D由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S7N60B3D价格参考。HarrisHGT1S7N60B3D封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HGT1S7N60B3D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S7N60B3D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGT1S7N60B3D 是由安森美（onsemi）推出的高压超结MOSFET（非IGBT），采用TO-247封装，额定电压600V，典型导通电阻Rds(on)约1.4Ω（Vgs=10V），具备快速开关、低开关损耗和强抗雪崩能力。其“B3D”后缀表明内置快速恢复二极管（FRD），适用于需要续流或反向能量回馈的拓扑。 主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于PFC（功率因数校正）升压电路及主DC-DC变换器（如LLC谐振、准谐振反激），尤其适合85–265VAC宽输入、百瓦至千瓦级适配器与服务器电源； 2. LED驱动电源：在高效率、高PF值的隔离式恒流驱动中实现高效调光与长寿命； 3. 工业控制与电机驱动：用于小功率变频器、伺服驱动的逆变桥臂下管（配合外部上管），或单相BLDC驱动中的功率开关； 4. 家电与新能源：空调压缩机驱动、光伏微逆变器DC/AC级、储能系统双向DC-DC变换等对可靠性与能效要求较高的场合。 需注意：该器件为单N沟道增强型MOSFET（非IGBT），不适用于大电流低频硬开关场景；其内置二极管为快恢复型，但体二极管反向恢复特性仍需在设计中优化驱动与吸收电路，以抑制电压尖峰。应用时建议搭配合适的栅极驱动IC与RC缓冲网络，确保可靠开关。
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