Datasheet下载- 型号： HGT1S7N60A4DS
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S7N60A4DS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S7N60A4DS价格参考。Fairchild SemiconductorHGT1S7N60A4DS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HGT1S7N60A4DS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S7N60A4DS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGT1S7N60A4DS 是安森美（ON Semiconductor）推出的高压超结MOSFET（非IGBT），采用TO-247AD封装，额定电压600V，典型导通电阻Rds(on)约1.1Ω（Vgs=10V），具备快速开关、低开关损耗及优异体二极管特性（带软恢复功能）。 其主要应用场景包括： • 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、服务器/通信电源、LED驱动电源中的PFC（功率因数校正）升压电路及主功率开关级； • 工业控制与电机驱动：用于中小功率变频器、伺服驱动器、风机/水泵控制器的逆变桥上管或单端拓扑开关； • 新能源领域：光伏微型逆变器、储能系统DC-DC变换器中高频硬开关或准谐振（QR）拓扑； • 家电与消费电子：电磁炉、变频空调压缩机驱动、高端电饭煲等需高效率、高可靠性的高压开关场合。 该器件内置优化体二极管，可减少反向恢复损耗与EMI，提升系统效率与稳定性；其A4DS后缀表示符合工业级可靠性标准（如AEC-Q101兼容设计），适合宽温（-55°C ~ +150°C）、高可靠性要求的应用。注意：虽常被误归为IGBT，但HGT1S7N60A4DS实为增强型高压MOSFET，不适用于超大电流低频硬开关场景（此时IGBT更优）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 11ns/100ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 56A |
| 描述 | IGBT 600V 34A 125W TO263AB |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 37nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HGT1S7N60A4DS |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 55µJ （开）， 60µJ （关） |
| TestCondition | 390V, 7A, 25 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V，7A |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 34ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 34A |
| 输入类型 | 标准 |
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