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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S3N60C3DS由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S3N60C3DS价格参考。HarrisHGT1S3N60C3DS封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HGT1S3N60C3DS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGT1S3N60C3DS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGT1S3N60C3DS 是 Harris Corp.(现已被 L3Harris Technologies 收购)推出的一款高压、高速、低导通损耗的IGBT(绝缘栅双极型晶体管),采用TO-247封装,额定电压600V,典型集电极电流3A(连续),内置快速恢复反并联二极管(即“C3DS”后缀含义),具备软关断特性和良好的短路耐受能力。 该器件主要面向中功率、高频开关应用,典型应用场景包括: • 工业变频驱动:如小型电机驱动器、风机/水泵调速系统中的逆变桥臂开关; • 开关电源(SMPS):适用于600W–2kW级AC-DC或DC-DC变换器的主开关,尤其适合PFC(功率因数校正)升压电路及DC-AC逆变级; • 感应加热设备:在中小功率电磁炉、家用电磁灶及工业加热模块中承担高频斩波功能; • 不间断电源(UPS):用于在线式UPS的逆变输出级,兼顾效率与动态响应; • 新能源辅助系统:如光伏微逆变器、储能系统中的DC/AC转换模块(非主逆变,多用于辅助或备用电源)。 其内置二极管优化了换流特性,减少外部续流器件需求;软关断设计可降低EMI,简化驱动电路设计。需注意:该型号已停产多年(Harris半导体业务于2015年前后逐步整合),当前多由L3Harris授权分销商提供库存或替代型号(如ST、Infineon、ON Semi同类600V IGBT),设计选型时建议核实供货状态并评估替代方案。