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  • 型号: HGT1S14N41G3VLS
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S14N41G3VLS由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S14N41G3VLS价格参考。Fairchild SemiconductorHGT1S14N41G3VLS封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HGT1S14N41G3VLS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGT1S14N41G3VLS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGT1S14N41G3VLS 是安森美(onsemi)推出的高性能高压IGBT(绝缘栅双极型晶体管),属于“晶体管 - IGBT、MOSFET - 单”类别。该器件额定电压为410 V,典型集电极电流达14 A,采用TO-247封装,具备低导通压降(VCE(sat))、快速开关特性及内置续流二极管(共封装),适用于中高功率、高频开关场景。

主要应用场景包括:  
• 工业变频驱动:用于3 kW–7.5 kW级通用变频器,驱动三相异步电机,实现高效调速与节能;  
• 不间断电源(UPS):作为逆变级核心开关器件,支持在线式UPS的DC-AC转换,兼顾效率与动态响应;  
• 感应加热设备:在电磁炉、工业热处理电源中承担高频(20–50 kHz)硬开关任务,利用其低拖尾电流与强短路耐受能力;  
• 光伏并网逆变器:适用于单相或小功率三相组串式逆变器的升压/逆变级,满足高效率(>98%)和高可靠性要求;  
• 电动工具与家电主控板:如大功率吸尘器、压缩机驱动模块,利用其紧凑封装与鲁棒性提升系统集成度与EMI性能。

该器件支持15 V标准栅极驱动,具备过温/过流保护兼容性,适用于对能效、体积与可靠性有综合要求的中端工业及消费类电力电子系统。
产品参数 图文手册 常见问题
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