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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S14N36G3VLT_NL由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S14N36G3VLT_NL价格参考。Fairchild SemiconductorHGT1S14N36G3VLT_NL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HGT1S14N36G3VLT_NL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGT1S14N36G3VLT_NL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGT1S14N36G3VLT_NL 是安森美(ON Semiconductor,原Fairchild Semiconductor)推出的高性能高压IGBT(绝缘栅双极型晶体管),采用TO-247-3L封装,额定电压3600 V、额定电流14 A(Tc=25°C),具备低导通压降(VCE(sat) ≈ 2.7 V @ IC=14A)和优化的开关特性,内置续流二极管(FRED),并增强dv/dt耐受能力与短路耐受时间(典型值≥5 μs)。 其主要应用场景包括: • 高压工业电源系统,如大功率UPS(不间断电源)、通信基站整流模块及HVDC辅助电源; • 感应加热设备(如商用/工业电磁炉、金属热处理电源),利用其高耐压与快速开关能力实现高效谐振控制; • 中高压电机驱动器(如泵、压缩机、传送带变频器),适用于400–690 VAC输入、需宽温度范围(−40°C 至 +150°C)稳定运行的场合; • 新能源领域:光伏逆变器中的直流侧斩波或旁路保护电路,以及风力发电变流器的辅助功率级; • 高可靠性工业控制设备,如PLC电源模块、固态继电器(SSR)及电弧焊机主开关。 该器件强调鲁棒性与长期可靠性,适用于恶劣电气环境(如高EMI、电压尖峰频繁场景),但不推荐用于高频PWM(>20 kHz)主逆变桥——因其设计侧重高压低频(典型开关频率1–10 kHz)下的效率与安全裕量。