【未分类_HGT1S12N60C3R】封装/厂家_HGT1S12N60C3R中文资料_价格

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型号： HGT1S12N60C3R
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S12N60C3R由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S12N60C3R价格参考。HarrisHGT1S12N60C3R封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGT1S12N60C3R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S12N60C3R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGT1S12N60C3R 是一款由安森美（onsemi）推出的高压超结MOSFET（非IGBT），采用TO-247封装，额定电压600V，连续漏极电流12A，典型导通电阻Rds(on)约0.45Ω（Vgs=10V），具备快速开关、低开关损耗和强抗雪崩能力等特点。

其典型应用场景包括：  
- 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、服务器/通信电源、LED驱动电源中的PFC（功率因数校正）升压电路及主功率变换级；  
- 不间断电源（UPS）与逆变器：用于DC-AC逆变环节，尤其适合中高频（20–100 kHz）硬开关拓扑；  
- 工业电机驱动：在中小功率变频器（如风机、泵类控制）中作为逆变桥上管或下管；  
- 家电与新能源设备：如变频空调压缩机驱动、光伏微逆变器输入级、储能系统双向DC-DC变换器等。

需注意：该器件为单N沟道增强型MOSFET（非IGBT），不适用于超大电流/低频高脉冲场景（如焊机主开关）；设计时应重视栅极驱动强度（推荐峰值驱动电流≥2A）、PCB散热布局及dv/dt抑制，以发挥其高速、高效优势。  

（注：“品牌为-”疑为信息缺失，实际品牌为onsemi；型号后缀“R”通常表示卷带包装。）

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