图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： HGT1S12N60B3S
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S12N60B3S由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S12N60B3S价格参考。HarrisHGT1S12N60B3S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HGT1S12N60B3S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S12N60B3S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGT1S12N60B3S 是 Harris Corp.（现已被 L3 Technologies 收购，相关产品线后由 Microchip 等厂商承接）推出的一款高压、高速IGBT单管（实际为IGBT+反并联快恢复二极管的集成封装，常归类为“IGBT单管”，非纯MOSFET），额定电压600V、电流12A，采用TO-247封装，内置优化型场截止（FS）结构与低拖尾电流设计，具备低导通压降（Vce(sat) ≈ 2.1V @ 12A）和快速开关特性。 其典型应用场景包括： - 工业变频驱动：用于中小功率通用变频器（如0.75–2.2kW级）的逆变桥臂，驱动三相异步电机，兼顾效率与EMI性能； - 感应加热电源：在20–50kHz中频段作为主开关器件，适用于电磁炉、小型金属热处理设备； - 不间断电源（UPS）：在在线式UPS的DC-AC逆变环节，提供可靠、低损耗的功率转换； - 光伏逆变器辅助电路：用于组串式逆变器中的DC-DC升压或旁路保护等次级功率级； - 高频开关电源：如通信电源、医疗设备电源中的PFC或主功率开关（需配合合适驱动与散热设计）。 该器件强调鲁棒性与温度稳定性，适用于对可靠性要求较高的工业环境，但不适用于超高频（>100kHz）或超大功率场合。实际应用中需注意栅极驱动电压（推荐±15V）、负压关断、过流/短路保护及热管理设计。
产品参数
图文手册
常见问题
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
HGT1S12N60B3S 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商