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详细数据请看参考数据手册
- 型号： HAT2279N-EL-E
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HAT2279N-EL-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HAT2279N-EL-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHAT2279N-EL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HAT2279N-EL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HAT2279N-EL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HAT2279N-EL-E 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用小型表面贴装HSOP8封装，具备低导通电阻（RDS(on) ≈ 10.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高耐压（VDSS = 60 V）及优良的开关特性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步降压（Buck）转换器，作为高侧或低侧开关，提升效率与功率密度； - 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路，尤其适合需紧凑布局与快速响应的便携式/嵌入式设备； - 负载开关与电源管理：在FPGA、ASIC、微控制器等数字系统中，用作高效、低损耗的上电时序控制或热插拔保护开关； - LED驱动与照明电源：支持恒流调光电路中的PWM开关控制，兼顾能效与EMI性能； - 汽车电子辅助系统：满足AEC-Q101可靠性认证（注：HAT2279N-EL-E为工业级，非车规；若用于车载须确认具体批次及应用等级），常见于车身控制模块（BCM）、座椅/车窗驱动等12V系统。 该器件集成ESD保护与雪崩耐量设计，配合优化的栅极电荷（Qg ≈ 23 nC），利于降低驱动损耗并简化外围电路。其HSOP8封装支持良好散热与自动化贴装，适用于高密度PCB设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HAT2279N-EL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3520pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12.3 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-LFPAK-iV |
| 功率-最大值 | 25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Ta） |
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