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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HAT1043M-EL-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HAT1043M-EL-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHAT1043M-EL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HAT1043M-EL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HAT1043M-EL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HAT1043M-EL-E 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-263(D²PAK)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅3.8mΩ @ Vgs=10V)、高连续漏极电流(ID=120A)及优异的雪崩耐量。其主要应用场景包括: 1. DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器,提升效率并降低温升; 2. 电机驱动:适用于中大功率直流无刷电机(BLDC)和步进电机的H桥或半桥驱动电路,支持高频PWM开关(典型fSW ≤ 500kHz); 3. 电池管理系统(BMS):用作电池保护电路中的充/放电主控开关,凭借低Rds(on)减小功耗,延长续航; 4. LED照明驱动:在高亮度LED恒流驱动或调光电路中承担功率开关角色; 5. 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101标准(注:HAT1043M-EL-E为工业级,非车规;若需车规应用,应选用瑞萨车规型号如HAT1043R),但可应用于车载充电器、风扇控制等非安全关键场景。 该器件支持10V栅极驱动,兼容主流PWM控制器,具备良好的热性能与可靠性,适用于对效率、功率密度和稳定性要求较高的中高功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HAT1043M-EL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 65 毫欧 @ 3A,4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 1.05W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.4A (Ta) |