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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供GMM3x60-015X2-SMD由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 GMM3x60-015X2-SMD价格参考。IXYSGMM3x60-015X2-SMD封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载GMM3x60-015X2-SMD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有GMM3x60-015X2-SMD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的GMM3X60-015X2-SMD是一款MOSFET阵列器件,主要应用于需要高效功率控制的场合。该器件采用SMD(表面贴装)封装,具有双N沟道增强型MOSFET结构,适用于高频率开关应用。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、电源模块、负载开关等,提供高效、低损耗的功率控制。 2. 电机驱动:适用于小型电机或步进电机的驱动电路,尤其在需要双路独立控制的场合。 3. LED照明驱动:用于LED背光、显示屏或照明系统的恒流驱动控制。 4. 工业自动化:作为开关元件用于PLC、传感器输出控制、继电器替代方案等工业控制设备中。 5. 消费电子产品:如充电器、适配器、智能家电等,实现紧凑、高效的电路设计。 该器件具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合高密度、高性能的电子系统设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MODULE 3 PHASE FULL BR MOSFETMOSFET 3 Phase Full Bridge |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | 6 N-沟道(3 相桥) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
Id-连续漏极电流 | 50 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS GMM3x60-015X2-SMD- |
数据手册 | |
产品型号 | GMM3x60-015X2-SMD |
Qg-GateCharge | 97 nC |
Qg-栅极电荷 | 97 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 19 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 24 mOhms |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 50 ns |
下降时间 | 25 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5800pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 97nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 24 毫欧 @ 38A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | ISOPLUS-DIL™ |
典型关闭延迟时间 | 100 ns |
功率-最大值 | - |
包装 | 托盘 |
商标 | IXYS |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | ISOPLUS-DIL™ |
封装/箱体 | GMM 3x60-015X2-SMD-24 |
工厂包装数量 | 28 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A |
系列 | GMM3x60-015X2 |
配置 | Three Phase - Full Bridge |