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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FZT757TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FZT757TA价格参考。Diodes Inc.FZT757TA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FZT757TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FZT757TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FZT757TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号的晶体管具有高增益、低噪声和良好的线性特性,因此在多种电子电路中具有广泛的应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 音频放大器:FZT757TA 的低噪声特性和高增益使其非常适合用于音频信号的放大。它可以在前置放大器或功率放大器中用作增益级,提供清晰且失真小的音频输出。 2. 射频(RF)电路:由于其出色的高频性能,FZT757TA 可以应用于射频放大器和混频器等电路中,用于处理高频信号的放大和调制。 3. 开关应用:该晶体管可以用作开关元件,在数字电路或电源管理电路中实现信号的导通与截止。例如,在继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制中作为开关使用。 4. 传感器信号调理:在传感器接口电路中,FZT757TA 可以用来放大微弱的传感器信号,如温度传感器、压力传感器或其他模拟信号源的输出。 5. 无线通信设备:在低功率无线通信模块中,FZT757TA 可用于信号放大和处理,支持稳定的无线数据传输。 6. 测试与测量仪器:在精密测量仪器中,这款晶体管可用于构建低噪声放大器,以提高测量精度。 总的来说,FZT757TA 凭借其优异的电气性能和可靠性,适用于需要高增益、低噪声和稳定工作的各种电子电路设计。选择该型号时,需根据具体应用需求考虑其工作频率范围、电流容量和其他关键参数。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP -300V -500MA SOT-223两极晶体管 - BJT PNP High Voltage |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FZT757TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FZT757TA |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 10mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 50 @ 100mA,5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | FZT757TR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 30 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 300V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 40 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 at 10 mA at 5 V, 50 at 100 mA at 5 V |
| 系列 | FZT757 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 300 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 300 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.5 V |
| 频率-跃迁 | 30MHz |