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- 型号： FW261-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FW261-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FW261-TL-E价格参考。ON SemiconductorFW261-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FW261-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FW261-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FW261-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能射频N沟道MOSFET，专为400–900 MHz频段的窄带/宽带射频功率放大应用设计。其典型应用场景包括： - 无线通信基础设施：如小型基站（Small Cell）、分布式天线系统（DAS）及中继器中的末级射频功放（PA），支持GSM、LTE-FDD/TDD、NB-IoT等制式； - 工业与物联网设备：用于RFID读写器、无线传感器网络节点、智能电表等需中低功率（典型输出功率约2–5 W）、高效率（典型PAE >60% @ 860 MHz）和良好线性度的射频发射模块； - 消费类无线产品：如高端对讲机、无人机图传发射模块及短距离高可靠性无线音频设备。 该器件采用表面贴装SOT-89-3封装，具备低输入/输出电容（Ciss ≈ 12 pF, Coss ≈ 2.5 pF）、高增益（|S21|² >15 dB @ 860 MHz）及良好的热稳定性，适合在+28 V偏置下工作，支持AB类或C类放大器配置。其优化的射频特性与成熟工艺保障了量产一致性与长期可靠性，广泛应用于对尺寸、效率与成本敏感的中功率射频前端设计中。（字数：298）
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