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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FSS273-TL-E
- 制造商： SANYO Semiconductor Company
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FSS273-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FSS273-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyFSS273-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FSS273-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FSS273-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FSS273-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 3.5Ω @ VGS = 10V）、低栅极电荷（Qg ≈ 4.5nC）及快速开关特性。其额定电压为60V，连续漏极电流为0.2A（TA=25°C），适合低压、小功率、高效率的开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的LED背光驱动、振动马达控制或USB接口过流保护开关； ✅ 负载开关（Load Switch）：用于微控制器I/O口直接驱动的低功耗负载通断控制，实现系统级电源域隔离与节能休眠； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流（在小电流、低成本DC/DC模块中辅助提升效率）； ✅ 电池供电设备的电池保护电路：如充放电路径控制、反向电流阻断； ✅ 工业与消费类小型继电器替代方案：用于PLC输入接口、传感器信号切换等低频（<1MHz）开关场合。 该器件具备ESD保护（HBM ≥2kV），可靠性高，且SOT-23封装便于紧凑布局与自动化贴装，适用于对尺寸、成本和能效均有要求的中低功率嵌入式系统。注意其电流能力有限，不适用于大电流或高功率主开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 45V 8A 8-SOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FSS273-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2225pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 8A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | 869-1162-6 |
| 功率-最大值 | 2.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 45V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Ta） |
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