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- 型号： FSS262-TL-E
- 制造商： SANYO Semiconductor Company
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FSS262-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FSS262-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyFSS262-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FSS262-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FSS262-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FSS262-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的射频N沟道MOSFET，专为高频、小信号射频开关应用优化。其典型应用场景包括：智能手机、平板电脑等便携式设备中的天线调谐与前端模块（FEM）开关；支持多频段LTE/5G通信的主/分集天线切换；Wi-Fi 6/6E（2.4 GHz / 5 GHz / 6 GHz）和蓝牙共存系统中的射频路径选择；以及物联网（IoT）终端、可穿戴设备中低功耗、高线性度的射频开关需求。 该器件采用小型SOT-363（SC-70）封装，尺寸仅2.0×2.1×0.9 mm，适合空间受限设计；具备低导通电阻（RON ≈ 0.6 Ω @ VGS=2.7V）、高关断隔离度（>30 dB @ 2.5 GHz）、优异的二次谐波抑制（OIP2 > +55 dBm）及良好的功率处理能力（连续波达+33 dBm），确保在高密度射频环境中保持信号完整性与低失真。其CMOS兼容控制电压（1.8 V / 2.7 V逻辑电平）便于与基带处理器或射频收发器直接对接，简化电路设计并降低功耗。 综上，FSS262-TL-E 主要面向中高端移动通信与无线连接设备中对尺寸、性能与集成度要求严苛的射频开关场景。
产品参数
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