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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQU3N40TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU3N40TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU3N40TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQU3N40TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQU3N40TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQU3N40TU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。其主要应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,用于高效能电能转换。 2. 电机控制:在电动工具、家用电器和工业自动化设备中,作为电机驱动电路的开关元件。 3. 负载开关:用于智能电源管理,控制电池供电设备的电源通断。 4. 逆变器系统:如太阳能逆变器、UPS不间断电源中,实现直流电到交流电的转换。 5. 汽车电子:如车载充电器、车身控制模块等,满足汽车环境下的高可靠性和稳定性要求。 该器件具有低导通电阻、高耐压(400V)和良好的热稳定性,适合高频开关应用,有助于提高系统效率并减小电路体积。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 400V 2A IPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQU3N40TU |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.4 欧姆 @ 1A,10V |
供应商器件封装 | I-Pak |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
标准包装 | 70 |
漏源极电压(Vdss) | 400V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Tc) |