Datasheet下载- 型号： FQPF55N10
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF55N10由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF55N10价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF55N10封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF55N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF55N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF55N10 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220F（全绝缘封装）或TO-220（带金属散热片）封装，具有100V耐压、55A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on)典型值为32mΩ @ Vgs=10V），适用于中高功率开关应用。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源中的主开关管或同步整流管； ✅ 电机控制：直流无刷电机（BLDC）驱动、风扇/泵类小功率电机的H桥或单相驱动； ✅ 逆变器与UPS系统：作为DC-AC逆变级的功率开关元件； ✅ 工业控制与电源模块：用于DC-DC转换器（如Buck、Boost拓扑）、电能回收电路及过流保护开关； ✅ 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准的衍生型号（如FQP55N10TU）可用于车载充电器、座椅调节、车灯调光等非安全关键场景（需确认具体型号认证等级）。 该器件具备快速开关特性（tr/tf约30/45ns）、强雪崩耐受能力及良好的热稳定性，适合高频（数十kHz至百kHz级）硬开关应用。使用时建议配合合适栅极驱动（推荐Vgs=10V以确保充分导通）及散热设计，避免因Rds(on)温升导致性能下降。 （注：FQPF55N10为工业级器件，非车规；若用于汽车需选用带“AEC-Q101”标识的对应型号。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 34.2A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF55N10 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2730pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 17.1A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 34.2A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FQPF55N10 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商