Datasheet下载- 型号： FQPF28N15T
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF28N15T由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF28N15T价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF28N15T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF28N15T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF28N15T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF28N15T 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220F（全绝缘封装）或FQP/FQPF系列常见通孔封装，具有150V耐压、28A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型导通电阻Rds(on) ≈ 65mΩ（Vgs=10V），具备快速开关特性与良好的热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：用作主开关管或同步整流器件，适用于AC-DC适配器、PC ATX电源、LED驱动电源等。 ✅ 电机控制：驱动直流有刷电机、步进电机或小功率无刷电机（BLDC）的H桥/半桥功率级，如电动工具、风扇、家电控制模块。 ✅ 电源管理与负载开关：在工业控制板、嵌入式系统中实现过流保护、热插拔或高侧/低侧负载开关功能。 ✅ 逆变器与UPS系统：用于中小功率离线式逆变器的DC-AC转换级，配合驱动IC完成高频PWM控制。 ✅ 照明电子：大功率LED恒流驱动电路中的调光开关或PWM斩波元件。 该器件内置ESD保护和优化体二极管，适合硬开关应用；但需注意其栅极阈值电压（Vgs(th)≈2–4V）及米勒平台特性，建议搭配合适驱动能力的栅极驱动器以确保可靠开关并降低损耗。实际设计中应重视PCB布局、散热设计（加装散热片）及SOA（安全工作区）校核。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 16.7A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF28N15T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 8.35A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16.7A （Tc） |
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