Datasheet下载- 型号： FQPF1P50
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF1P50由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF1P50价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF1P50封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF1P50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF1P50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF1P50 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款P沟道增强型垂直双扩散MOSFET（VDMOS），采用TO-220F（绝缘封装）或FQP/FQPF系列常见直插式封装，主要面向中功率开关应用。 其典型参数包括：VDSS = –500 V，ID = –1.5 A（TC = 25°C），RDS(on) ≤ 12 Ω（VGS = –10 V），具备雪崩耐受能力与内置ESD保护。由于其高击穿电压和适中电流能力，适用于需高压关断、低频/中频开关的场景。 典型应用场景包括： ✅ 离线式AC-DC电源：作为初级侧的高压侧开关（如反激变换器中的箝位电路、辅助电源控制开关）； ✅ 继电器/电磁阀驱动：在工业控制板中替代机械继电器，实现高压负载（如24–240 V AC/DC）的通断控制； ✅ LED恒流驱动电路：配合电流检测电阻，用于高压LED串的源极开关调光或使能控制； ✅ 电池管理系统（BMS）：在高压电池组中作充电/放电路径的P沟道高压侧保护开关（需注意栅极驱动设计）； ✅ 家电与工业设备：如微波炉高压变压器控制、电机启停保护、电表防窃电开关等。 需注意：该器件为P沟道，常用于高边开关配置，但栅极驱动需负压或电平移位电路以确保充分导通；不适用于高频（>100 kHz）或大电流连续工作场合。设计时应重视散热（TO-220F需加散热器）及SOA（安全工作区）裕量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 500V 1.03A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF1P50 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.5 欧姆 @ 515mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 28W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.03A （Tc） |
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