Datasheet下载- 型号： FQPF1N60T
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF1N60T由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF1N60T价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF1N60T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF1N60T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF1N60T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF1N60T 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220F（全绝缘封装）或FQP/FQPF系列常见直插式封装，具有600V耐压、1.3A连续漏极电流（ID）、典型导通电阻RDS(on)约11Ω（VGS=10V），具备快速开关特性与内置体二极管。 其典型应用场景包括： ✅ 小功率开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、LED驱动电源中的主开关管，适用于反激（Flyback）拓扑中低电流、高电压场合； ✅ 离线式待机电源/辅助电源：在家电（空调、电视）、工业控制板中提供+5V/+12V待机供电； ✅ LED照明驱动：用于隔离/非隔离LED恒压或恒流驱动电路的初级侧开关； ✅ 电机控制：适用于小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的低压栅极驱动级、风扇控制等低频PWM开关场景（因开关速度中等，不推荐高频>100kHz应用）； ✅ 电磁阀/继电器驱动：作为高压侧或低压侧开关，控制感性负载通断，配合续流二极管使用。 注意：该器件属慢速至中速MOSFET，设计时需注意栅极驱动能力、散热（建议加散热片）、以及dV/dt抗扰性。不适用于高频谐振变换器（如LLC）或大电流（>2A）持续导通场景。实际选型应结合具体工作电压、占空比、温升及安全裕量综合评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 900MA TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF1N60T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.5 欧姆 @ 450mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 21W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 900mA （Tc） |
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