【未分类_FQPF18N50V2SDTU】封装/厂家_FQPF18N50V2SDTU中文资料_价格

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型号： FQPF18N50V2SDTU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF18N50V2SDTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF18N50V2SDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF18N50V2SDTU封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQPF18N50V2SDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF18N50V2SDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQPF18N50V2SDTU 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-220F封装（带绝缘法兰），额定参数为500V耐压、18A连续漏极电流（Tc=25°C）、Rds(on)典型值0.36Ω（Vgs=10V）。其高电压、中等电流及低导通电阻特性，适用于中高频开关电源场景。

典型应用场景包括：  
- AC-DC开关电源：如通用适配器、LED驱动电源、工业电源中的主开关管（反激/准谐振/LLC拓扑）；  
- PFC（功率因数校正）电路：作为升压变换器中的开关器件，支持连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CRM）；  
- 电机控制：中小功率通用变频器、风扇/泵类家电的驱动级开关；  
- 工业控制与照明系统：如智能照明镇流器、HVAC控制系统中的直流母线开关；  
- 替代传统三极管/IGBT：在需更高效率、更快开关速度（典型td(on)/td(off)约20ns/70ns）且电压≤500V的场合。

该器件具备雪崩耐受能力（UIS rated）、良好的热稳定性及符合RoHS标准，TO-220F封装便于散热安装且提供电气隔离，适合对可靠性与EMI有要求的中端工业及消费类电源设计。

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