Datasheet下载- 型号： FQPF17N08L
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF17N08L由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF17N08L价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF17N08L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF17N08L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF17N08L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF17N08L 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型逻辑电平功率MOSFET，采用TO-220F（全绝缘封装）或FQP系列常见封装，具有低导通电阻（Rds(on) ≈ 0.12Ω @ Vgs=10V，典型值）、额定电压80V、连续漏极电流17A（Tc=25℃），支持逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1.0–2.5V），可被3.3V/5V微控制器直接驱动。 典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：用于降压（Buck）转换器的同步整流或主开关管，尤其适用于中功率适配器、工业电源模块； ✅ 电机控制：驱动直流有刷电机、步进电机相绕组或小功率风扇/泵，配合H桥或半桥拓扑实现PWM调速； ✅ 负载开关与电源管理：在嵌入式系统中作为高效、低功耗的电子开关，用于电池供电设备的上电时序控制、外设电源启停； ✅ 照明驱动：LED恒流驱动电路中的开关元件，适用于LED路灯、工业照明等中功率应用； ✅ 逆变器与UPS辅助电路：用于中小功率离线式逆变器的DC侧开关或保护电路。 其逻辑电平兼容性、较低的开关损耗及良好的热稳定性，使其在成本敏感、空间受限且需简化驱动设计的中低功率应用中广受青睐。注意实际使用时需合理设计栅极驱动（避免振荡）、配备足够散热（如加装散热片），并考虑雪崩耐量（该器件具备一定UIS能力）以提升系统鲁棒性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 11.2A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF17N08L |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 520pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 5.6A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.2A （Tc） |
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