【未分类_FQP6N50C】封装/厂家_FQP6N50C中文资料_价格

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型号： FQP6N50C
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP6N50C由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP6N50C价格参考。Fairchild SemiconductorFQP6N50C封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQP6N50C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP6N50C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP6N50C 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，主要参数包括：耐压500V、连续漏极电流6A（Tc=25℃）、Rds(on)典型值为1.2Ω（Vgs=10V），采用TO-220封装，具备良好的开关特性和热稳定性。

其典型应用场景包括：  
✅ 开关电源（SMPS）：常用于反激式、正激式AC-DC适配器及充电器的主开关管，适用于中小功率（约30–60W）设计；  
✅ LED驱动电源：作为PWM调光或恒流控制中的高压侧/低压侧开关，支持隔离与非隔离拓扑；  
✅ 电机控制：适用于小功率直流无刷电机（BLDC）或有刷电机的H桥驱动中低频开关（因非超高速器件，建议工作频率≤100kHz）；  
✅ 逆变器与UPS模块：在离线式后备式UPS或小型逆变器中用作DC-AC转换的功率开关；  
✅ 工业控制与继电器替代：用于PLC输出模块、固态继电器（SSR）等需高压隔离控制的场合。

注意：该器件为通孔封装，需良好散热设计（建议加装散热片）；驱动时需确保Vgs ≥ 10V以充分导通，并注意栅极驱动能力与米勒效应影响。不推荐用于高频谐振（如LLC）或大电流同步整流等严苛场景。  

综上，FQP6N50C是一款经济可靠的中高压通用功率MOSFET，广泛应用于消费电子、工业电源及照明控制等对成本与可靠性兼顾的中低功率系统中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQP6N50C
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	700pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	25nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
供应商器件封装	TO-220
功率-最大值	98W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	5.5A （Tc）