Datasheet下载- 型号： FQP32N12V2
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP32N12V2由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP32N12V2价格参考。Fairchild SemiconductorFQP32N12V2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQP32N12V2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP32N12V2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP32N12V2 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装，具有120V耐压、32A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on)典型值为45mΩ@Vgs=10V）及快速开关特性。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于中大功率开关电源（如AC-DC适配器、PC ATX电源的同步整流或主开关管）、DC-DC降压/升压模块（Buck/Boost拓扑），尤其适用于12–48V输入系统。 - 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机及风扇控制电路（如工业风机、电动工具、家用电器中的BLDC预驱级或H桥下管），得益于其高电流能力和抗雪崩可靠性。 - 电源管理与负载开关：用作电子保险丝、热插拔保护、电池供电设备的主功率开关（如UPS、储能系统中的充放电通路控制）。 - 照明驱动：LED恒流驱动电源中的开关器件，支持调光与高效能要求。 该器件具备良好的热稳定性和雪崩能量耐受能力（EAS=390mJ），适合在中等频率（≤100kHz）开关应用中兼顾效率与可靠性。注意：实际使用需配合合理散热设计（如加装散热片）及栅极驱动优化（避免振荡与过压），并确保Vgs驱动电压≥10V以充分饱和导通。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 120V 32A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQP32N12V2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1860pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 16A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 120V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 32A （Tc） |
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