Datasheet下载- 型号： FQP2N50
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP2N50由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP2N50价格参考。Fairchild SemiconductorFQP2N50封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQP2N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP2N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP2N50 是安森美（ON Semiconductor）出品的一款N沟道增强型高压功率MOSFET，主要参数包括：耐压500V、连续漏极电流2A（Tc=25℃）、Rds(on)典型值约4.5Ω（Vgs=10V），采用TO-220封装。 其典型应用场景包括： ✅ 小功率开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、LED驱动电源中的主开关管（适用于几十瓦级），利用其高压特性实现离线式反激（Flyback）或降压（Buck）拓扑。 ✅ LED照明控制：用于调光电路、恒流驱动模块的PWM开关元件，尤其适合中低压输入（如85–265V AC整流后母线）的隔离/非隔离LED驱动方案。 ✅ 电机控制：适用于小型直流无刷电机（BLDC）或有刷电机的低频驱动（如风扇、小型泵类），常作为上桥臂或单管H桥开关（需配合续流保护）。 ✅ 电涌/过压保护电路：在浪涌抑制器或过压关断模块中用作受控高压开关。 ✅ 工业控制与家电：如电磁阀驱动、继电器替代、微波炉高压控制、小型逆变器辅助开关等。 注意事项：因导通电阻相对较高、电流能力有限，不适用于大电流（>3A）或高频（>100kHz）硬开关场景；实际应用中需注意散热设计（TO-220需配散热片），并确保栅极驱动电压≥10V以充分导通，建议搭配TVS和RC缓冲电路提升可靠性。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 2.1A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQP2N50 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.3 欧姆 @ 1.05A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.1A （Tc） |
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