Datasheet下载- 型号： FQNL1N50BTA
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQNL1N50BTA由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQNL1N50BTA价格参考。Fairchild SemiconductorFQNL1N50BTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQNL1N50BTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQNL1N50BTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQNL1N50BTA 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压MOSFET，采用SOT-223封装，具有500V耐压、1A连续漏极电流（ID）、典型导通电阻RDS(on)为20Ω（VGS=10V），具备低栅极电荷与快速开关特性。 其主要应用场景包括： ✅ 离线式小功率AC-DC电源：如手机充电器、LED驱动电源、适配器中的辅助电源（偏置绕组供电电路）或待机电源（Standby SMPS），用于反激（Flyback）拓扑的初级侧开关或次级同步整流控制。 ✅ LED照明驱动：适用于非隔离型降压（Buck）或线性恒流驱动电路，尤其在低成本、低电流（≤1A）的LED灯条、智能照明模块中作开关元件。 ✅ 家电与工业控制：用于电磁炉、微波炉的风扇控制、继电器/电磁阀驱动、PLC数字输出模块等中低频（<100kHz）开关应用。 ✅ 电池管理系统（BMS）保护电路：作为过压/过流保护中的高压侧检测开关或充放电路径控制器件（需配合驱动与保护IC）。 该器件因SOT-223封装体积小、散热适中、成本低，适合空间受限且功率密度要求不极端的场景；但不适用于大电流、高频率（如>500kHz）或高效率主功率开关场合。使用时建议确保VGS驱动电压≥10V以充分导通，并注意PCB散热设计及dV/dt抗扰能力。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQNL1N50BTA |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 欧姆 @ 135mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-92L |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 长体 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 270mA （Tc） |
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