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- 型号： FQI9N50TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI9N50TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI9N50TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI9N50TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI9N50TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI9N50TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI9N50TU 是 Fairchild Semiconductor（现属onsemi）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-220F（绝缘型）封装，主要参数为：VDSS = 500 V，ID = 9 A（TC = 25°C），RDS(on) ≈ 0.75 Ω（典型值），具备快速开关特性与内置ESD保护。 其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源中的主开关管或PFC（功率因数校正）电路； 2. 工业控制设备：如PLC输出模块、电机驱动中的隔离式功率开关； 3. 家电与白色家电：空调、洗衣机、微波炉等中高频逆变/变频控制电路； 4. 照明系统：大功率LED恒流驱动、电子镇流器； 5. UPS及逆变器：作为DC-AC桥式逆变的中低功率开关器件。 该器件具有良好的雪崩耐受能力（UIS额定）、低栅极电荷（Qg≈32 nC），利于提高效率与EMI性能；TO-220F封装提供电气绝缘（无需额外绝缘垫片），简化散热设计并提升系统安全性。适用于中等功率（约100–500 W级）、高可靠性要求的离线式电源与工业电源应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI9N50TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 730 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Tc） |
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