图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： FQI9N50CTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI9N50CTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI9N50CTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI9N50CTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI9N50CTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI9N50CTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI9N50CTU 是 Fairchild Semiconductor（现属onsemi）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-220F封装，具备500V耐压、9A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型导通电阻Rds(on) ≈ 0.75Ω（Vgs=10V），并集成快速恢复体二极管。 其主要应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源等的主开关管或PFC（功率因数校正）电路，凭借高耐压与中等电流能力，兼顾效率与成本。 ✅ 工业控制与电机驱动：适用于中小功率（<500W）的BLDC电机驱动、继电器替代、电磁阀控制等，支持PWM高频开关（典型fSW ≤ 100kHz）。 ✅ UPS与逆变器：在后备式/在线式不间断电源中用作DC-AC逆变桥臂开关，500V额定电压满足400V母线系统需求。 ✅ 家电与白色家电：如空调压缩机驱动、洗衣机电机控制、微波炉高压电源等对可靠性与热稳定性要求较高的场合。 该器件采用“CoolMOS”类优化结构（Fairchild SuperFET®技术），具备较低栅极电荷（Qg≈36nC）和优异的dv/dt抗扰性，有助于降低驱动损耗与EMI。TO-220F封装带绝缘底座，可直接安装于散热器，简化隔离设计。需注意：实际应用中应确保足够散热（建议RθJA < 40°C/W），并合理设计栅极驱动（推荐Vgs=10–15V，避免低于4.5V导致线性区功耗过大）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI9N50CTU |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1030pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 800 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 135W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FQI9N50CTU 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商