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- 型号： FQI7N10TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI7N10TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI7N10TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI7N10TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI7N10TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI7N10TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI7N10TU 是安森美（onsemi）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-251（IPAK）封装，具有100V耐压、7A连续漏极电流（Tc=25°C）、低导通电阻（Rds(on)典型值0.28Ω @ Vgs=10V），具备快速开关特性与良好的热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ 中小功率DC-DC转换器：如Buck/Boost拓扑中的主开关管，适用于电源适配器、工业电源模块； ✅ 电机控制电路：用于驱动小型直流电机、步进电机或风扇控制（如家电、办公设备中的PWM调速）； ✅ LED恒流驱动与照明电源：在LED驱动器中作开关元件，实现高效调光与稳流； ✅ 电池管理系统（BMS）保护电路：用作充放电回路的高边或低边开关，配合保护IC实现过流/短路切断； ✅ 消费电子与嵌入式系统电源管理：如打印机、机顶盒、网络设备中的负载开关、电源排序及待机电源控制。 该器件具备雪崩额定能力（UIS），增强了系统鲁棒性；TO-251封装兼顾散热性与PCB空间效率，适合中等功率密度设计。注意实际应用中需合理设计栅极驱动（避免振荡）、预留足够散热余量，并配合TVS或RC缓冲电路提升EMI与可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI7N10TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 350 毫欧 @ 3.65A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.3A （Tc） |
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