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- 型号： FQI6N60CTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI6N60CTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI6N60CTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI6N60CTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI6N60CTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI6N60CTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FSC（Fairchild Semiconductor，现属ON Semiconductor）的FQI6N60CTU是一款600V、6A、N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-220F（绝缘封装）封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值0.95Ω）、快速开关特性及内置ESD保护。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源等，作为主开关管，实现高效能量转换； 2. LED照明驱动：适用于隔离/非隔离式LED恒流驱动电路，支持PWM调光与高效率工作； 3. 工业控制与电机驱动：可用于小功率BLDC电机控制器、继电器替代电路及PLC输出级开关； 4. 家电电源模块：如空调、洗衣机、微波炉等内部辅助电源或PFC后级开关； 5. 逆变器与UPS系统：在中小功率离线式逆变器中用作DC-AC桥臂开关元件。 该器件具备雪崩耐量（UIS额定），增强了系统可靠性；TO-220F封装提供电气隔离，便于直接安装于散热器且无需额外绝缘垫片，简化设计并提升热管理效率。适用于要求高电压、中等电流、高可靠性和成本敏感的中低功率电力电子应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI6N60CTU |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 810pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 2.75A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.5A （Tc） |
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