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- 型号： FQI5P10TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI5P10TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI5P10TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI5P10TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI5P10TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI5P10TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI5P10TU 是安森美（onsemi）推出的 P 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-220F 封装，额定电压 -100 V，连续漏极电流 -4.6 A（Tc=25℃），典型导通电阻 Rds(on) 为 1.0 Ω（Vgs = -10 V）。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器中的同步整流或高压侧/低压侧开关，尤其适用于反激式、降压式拓扑的次级侧控制。 2. 电机驱动：适用于中小功率直流电机（如风扇、泵、电动工具）的 H 桥或单路驱动电路中，作为高边或低边开关，实现启停与方向控制。 3. 负载开关与电源切换：在工业控制、通信设备及嵌入式系统中，用作板级电源的热插拔保护、电池供电切换或外设供电使能控制，具备良好的过载与雪崩耐受能力。 4. 逆变与照明驱动：可用于 LED 驱动电路（如调光控制）、小型离网逆变器中的 DC-AC 级开关元件。 该器件具备低栅极电荷（Qg ≈ 10 nC）、快速开关特性及内置体二极管，适合中频（<100 kHz）开关应用；TO-220F 封装带绝缘底座，便于散热与安全隔离。需注意其为 P 沟道结构，驱动逻辑与 N 沟道相反（低电平导通），常配合电平移位或专用驱动 IC 使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 4.5A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI5P10TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.05 欧姆 @ 2.25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
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