Datasheet下载- 型号： FQI5N80TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI5N80TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI5N80TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI5N80TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI5N80TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI5N80TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI5N80TU 是安森美（ON Semiconductor）推出的高压N沟道增强型MOSFET，额定参数为800V耐压、5A连续漏极电流（Tc=25℃）、Rds(on)典型值1.4Ω（Vgs=10V），采用TO-220F绝缘封装（带隔离法兰，适合直接安装于散热器）。 其主要应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源等中的主功率开关管，尤其适合反激（Flyback）和双管正激（Two-Transistor Forward）拓扑中800V级高压侧开关。 ✅ 工业控制与电机驱动：用于中小功率通用变频器、泵/风扇驱动模块及继电器替代电路，凭借高耐压与可靠雪崩能力，可应对感性负载关断时的电压尖峰。 ✅ 照明电子：在高输入电压（如宽范围90–265VAC或300VDC母线）的智能LED驱动器中作为PFC后级开关或调光控制开关。 ✅ 家电与白色家电：应用于微波炉磁控管驱动、空调压缩机辅助控制、电磁炉谐振回路等需高压隔离与稳定导通的场合。 该器件具备良好的UIS（非钳位感性开关）鲁棒性、低栅极电荷（Qg≈22nC），利于高频（≤100kHz）高效开关；TO-220F封装满足UL 1557绝缘要求（耐压≥2500Vrms），简化系统绝缘设计。需注意合理设计驱动电路（避免米勒平台误导通）与散热（满载时建议加装散热器）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 4.8A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI5N80TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.6 欧姆 @ 2.4A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.8A （Tc） |
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