Datasheet下载- 型号： FQI5N30TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI5N30TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI5N30TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI5N30TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI5N30TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI5N30TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI5N30TU 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-251（IPAK）表面贴装封装。其典型参数包括：耐压VDSS = 300 V，连续漏极电流ID = 5 A（TC = 25°C），导通电阻RDS(on) ≈ 1.4 Ω（VGS = 10 V），具备快速开关特性与良好热稳定性。 该器件主要适用于中等功率、高电压的DC-DC转换和离线式电源系统，典型应用场景包括： ✅ 小功率开关电源（如适配器、LED驱动电源）中的主开关管； ✅ 离线式AC-DC反激（Flyback）或降压（Buck）转换器的初级侧开关； ✅ 工业控制设备中的继电器/电磁阀驱动电路； ✅ 家电（如空调、洗衣机）中的电机控制模块及电源管理单元； ✅ LED照明驱动电路（尤其恒流/调光方案中的高频开关元件）。 其TO-251封装兼顾散热性与PCB空间节省，适合自动化贴片生产；内置体二极管具备一定续流能力，简化外围设计。需注意：实际应用中应合理设计栅极驱动（避免过冲/振荡）、加装RC缓冲电路抑制电压尖峰，并确保PCB铜箔面积足够以保障热传导（结温TJ ≤ 150°C）。 综上，FQI5N30TU是一款经济可靠、易于布局的通用型高压MOSFET，广泛用于对成本、尺寸和可靠性有综合要求的中小功率电源与控制场合。（字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 5.4A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI5N30TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 430pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 900 毫欧 @ 2.7A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.4A （Tc） |
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