Datasheet下载- 型号： FQI3P20TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI3P20TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI3P20TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI3P20TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI3P20TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI3P20TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI3P20TU 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，额定电压为–200 V，连续漏极电流ID为–3.1 A（Tc=25°C），典型导通电阻Rds(on)低至1.8 Ω（Vgs = –10 V），具备快速开关特性与内置ESD保护。 其主要应用场景包括： 1. 工业电源管理：用于DC-DC转换器、AC-DC适配器中的同步整流或高压侧负载开关； 2. 电机控制电路：在小型有刷直流电机、步进电机驱动中作高边关断开关，实现反向制动或电源隔离； 3. LED驱动与照明系统：适用于高压LED串的恒流调光控制及过压保护回路中的关断开关； 4. 电池管理系统（BMS）：在便携式/工业级电池组中用作充电保护开关或放电路径控制（配合N-MOSFET构成H桥或双控开关）； 5. 消费电子与家电：如智能电表、PLC模块、电磁阀驱动等需耐压200V且空间受限的中功率开关场合。 该器件具备雪崩额定能力（UIS），增强了系统鲁棒性；TO-252封装兼顾散热性与PCB面积效率，适合自动化贴片生产。设计时建议搭配合适栅极驱动（确保Vgs ≤ –10 V以充分导通）并注意PCB热焊盘设计以保障温升安全。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 2.8A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI3P20TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 欧姆 @ 1.4A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Tc） |
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