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- 型号： FQI3N40TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI3N40TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI3N40TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI3N40TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI3N40TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI3N40TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI3N40TU 是安森美（onsemi）出品的N沟道增强型高压MOSFET，额定电压400V，连续漏极电流约3.0A（Tc=25℃），采用TO-220F封装（绝缘底座，适合直接安装于散热器）。其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC电源的主开关管或PFC级后级开关，凭借高耐压与较低导通电阻（Rds(on)典型值2.5Ω），兼顾效率与可靠性。 2. 电机控制：适用于小功率直流无刷电机（BLDC）驱动、风扇/泵类家电的H桥或半桥电路，支持PWM调速。 3. 工业控制与继电器替代：在PLC输出模块、固态继电器（SSR）中作为功率开关，实现快速、无触点通断控制。 4. 照明电子镇流器及LED恒流驱动：配合控制器实现高频斩波，提升能效并减小磁性元件体积。 该器件具备雪崩耐量（UIS）和良好的dv/dt抗扰能力，适合中等功率、中高频（≤100kHz）硬开关应用。需注意：实际使用时须合理设计栅极驱动（避免振荡）、充分散热（TO-220F需配散热片），并加入RC缓冲电路以抑制关断电压尖峰。不推荐用于高频谐振拓扑（如LLC）或大电流连续导通场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 2.5A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI3N40TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 欧姆 @ 1.25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Tc） |
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