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- 型号： FQI3N30TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI3N30TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI3N30TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI3N30TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI3N30TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI3N30TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI3N3N30TU 是安森美（onsemi）推出的N沟道增强型高压MOSFET，采用TO-220F封装（绝缘底板），额定电压300V，连续漏极电流3A（Tc=25℃），典型导通电阻Rds(on)约3.5Ω（Vgs=10V）。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于反激式、正激式等中小功率AC-DC适配器、充电器及LED驱动电源中的主开关管，兼顾耐压与效率。 2. 电机控制：用于小功率直流无刷电机（BLDC）或有刷电机的H桥/半桥驱动电路，尤其适合对成本和散热要求适中的家电（如风扇、水泵、电动工具控制板）。 3. 工业控制与继电器替代：在PLC输出模块、固态继电器（SSR）中作为功率开关，实现高可靠性、长寿命的电平切换。 4. LED照明系统：用于调光驱动、恒流源开关或隔离型LED驱动次级侧同步整流（需配合控制器）。 5. 电池管理系统（BMS）：在中小容量锂电池组的充放电保护电路中作充/放电控制开关（需注意SOA与过流保护设计）。 该器件具备雪崩耐量（UIS rated），具备一定抗瞬态过压能力；TO-220F封装便于安装散热片，适合中等功率密度应用。但不适用于高频（>100kHz）或大电流（>5A）场景，建议搭配合适栅极驱动与RC缓冲电路以优化开关性能与EMI。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI3N30TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 欧姆 @ 1.6A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A （Tc） |
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